品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
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导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
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导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK536-MTK-TB-E
工作温度:125℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
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连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK536-MTK-TB-E
工作温度:125℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100mA
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
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导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
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导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
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导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
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导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:6W
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类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:15A
工作温度:125℃
ECCN:EAR99
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:6W
输入电容:662pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:15A
工作温度:125℃
ECCN:EAR99
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:6W
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类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:15A
工作温度:125℃
ECCN:EAR99
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":288,"18+":200}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FF225R65T3E3BPSA1
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:65.6nF@25V
集电极截止电流(Ices):5900V
类型:沟槽型场截止
工作温度:125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":333,"MI+":90}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":288,"18+":200}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":288,"18+":200}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: