采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGB8207BNT4G
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.6V@4V，20A
集电极截止电流(Ices)：365V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN110N120A4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，110A
关断延迟时间：550ns
关断损耗：8.4mJ
开启延迟时间：42ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：305nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：219}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL40T65SQD
ECCN：EAR99
集电极脉冲电流(Icm)：80A
集电极截止电流(Ices)：650V
类型：IGBT管
集电极电流(Ic)：1.6V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB720P15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W€3.8W
阈值电压：2V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@75V
连续漏极电流：4.6A€41A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：981，"9999"：637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI020N06D1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC011N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2.3V@116μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@30V
连续漏极电流：288A€37A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：995，"9999"：275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK752R3-40E，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109.2nC@10V
输入电容：8.5nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13897，"23+"：895}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：150，"11+"：4670，"14+"：20000}
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：209}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3.02nF@1000V
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：995，"9999"：275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK752R3-40E，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109.2nC@10V
输入电容：8.5nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
