销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

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集电集截止电流(Icbo)：10nA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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晶体管类型：NPN

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规格型号(MPN)：NZT605

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晶体管类型：NPN

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规格型号(MPN)：NZT605

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包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

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包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

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