销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：170MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

ECCN：EAR99

功率：235mW

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

输入电阻：22kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：12000}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

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特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

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功率：250mW

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

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集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

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功率：235mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

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特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

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功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

功率：250mW

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晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

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功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

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特征频率：170MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：235mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1