采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：35000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
功率：325mW
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：210MHz
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：170MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：30000，"19+"：60000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：62307}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
功率：250mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
功率：320mW
包装方式：卷带（TR）
特征频率：225MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
功率：320mW
包装方式：卷带（TR）
特征频率：225MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
