品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300 pF @ 20 V
连续漏极电流:32A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300 pF @ 20 V
连续漏极电流:32A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300 pF @ 20 V
连续漏极电流:32A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300 pF @ 20 V
连续漏极电流:32A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300 pF @ 20 V
连续漏极电流:32A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1064,"MI+":3788}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLM120ATF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 1.15A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta),89W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:82 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453 pF @ 12 V
连续漏极电流:47A(Ta),310A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.58 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB6060L
工作温度:-65°C~175°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2V @ 250µA
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
栅极电荷:64 nC @ 10 V
输入电容:4700 pF @ 12 V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLM120ATF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 1.15A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":152895}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C612NLT1G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),167W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660 pF @ 25 V
连续漏极电流:36A(Ta),235A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),30W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:13 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta),63A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.5 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLM120ATF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 1.15A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300 pF @ 20 V
连续漏极电流:32A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: