品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),28W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:6.4 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:350 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),28W(Tc)
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包装方式:管件
输入电容:350 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
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类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
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库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
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连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3960}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),28W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:350 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002,235
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:830mW(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50 pF @ 10 V
连续漏极电流:300mA(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002,235
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:830mW(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50 pF @ 10 V
连续漏极电流:300mA(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002,235
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:830mW(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50 pF @ 10 V
连续漏极电流:300mA(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU20N06LTU
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:13 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:630 pF @ 25 V
连续漏极电流:17.2A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:60 毫欧 @ 8.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:13.6W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:636 pF @ 25 V
连续漏极电流:9A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002A-TP
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:300mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:115mA
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:13.6W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:636 pF @ 25 V
连续漏极电流:9A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: