采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3110ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.98nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10V，38A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WAHZGT106
功率：300mW
阈值电压：2.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
