品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL025N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:236nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7330pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL025N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:236nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7330pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN90N25L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:735W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:640nC@10V
包装方式:管件
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN200N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:540nC@10V
包装方式:散装
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:178A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN200N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:540nC@10V
包装方式:散装
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:178A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN90N25L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:735W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:640nC@10V
包装方式:管件
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":586}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH099N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN110N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:735W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500nC@10V
包装方式:管件
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN200N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:540nC@10V
包装方式:散装
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:178A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2270pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: