包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：155W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：142A

类型：MOSFET

导通电阻：3.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA21N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：205mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：155W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：142A

类型：MOSFET

导通电阻：3.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA21N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：205mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1