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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
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功率：20W
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：20A
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漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
栅极电荷：12nC@5V
ECCN：EAR99
输入电容：1.2nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：950pF@10V
类型：N沟道
功率：20W
漏源电压：45V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：28mΩ@20A，10V
栅极电荷：12nC@5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
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输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
