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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MB5TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@20V€51nC@20V
输入电容：2.87nF@20V€530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：16.8mΩ@8.5A，10V€19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MB5TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@20V€51nC@20V
输入电容：2.87nF@20V€530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：16.8mΩ@8.5A，10V€19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
