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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E301GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39.8nC@10V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：30A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350GNTB
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.06nF@15V
连续漏极电流：80A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350GNTB
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.06nF@15V
连续漏极电流：80A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：42.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.85nF@15V
连续漏极电流：80A€32A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350GNTB
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.06nF@15V
连续漏极电流：80A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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