品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.29mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q(M
功率:960mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10V,45A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€210W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.29mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.29mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306P1,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306P1,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306P1,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€210W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€210W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: