品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@15V
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N10D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:90mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT15N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@15V
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: