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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138AKDW
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138AKDW
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
