品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UDA-7B
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道
反向传输电容:18pF@10V
导通电阻:280mΩ@4.5V,830mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: