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    行业应用: 工业
    阈值电压: 1V@250μA
    功率: 380mW
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
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    LRC Mosfet场效应管 LBSS260DW1T1G 起订104个装
    LRC Mosfet场效应管 LBSS260DW1T1G 起订104个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LBSS260DW1T1G

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.44Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订100个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订100个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3013-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@10V

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@5V

    导通电阻:1.2Ω@10v,450mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订79个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订79个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3013-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@10V

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@5V

    导通电阻:1.2Ω@10v,450mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订500个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订500个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3013-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@10V

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@5V

    导通电阻:1.2Ω@10v,450mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订118个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订118个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3013-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@10V

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@5V

    导通电阻:1.2Ω@10v,450mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订30个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订30个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3013-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@10V

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@5V

    导通电阻:1.2Ω@10v,450mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订8000个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3013-3/TR 起订8000个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3013-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@10V

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@5V

    导通电阻:1.2Ω@10v,450mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:930pC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7 起订60000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7 起订60000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:380mW

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    栅极电荷:0.93nC@10V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:380mW

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    栅极电荷:930pC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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