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    当前匹配商品:600+
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    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:870mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G45P02D3 起订21个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G45P02D3 起订21个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G45P02D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:80W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    输入电容:3.5nF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UFZ-7B 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UFZ-7B 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UFZ-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2312 起订65个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2312 起订65个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2312

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    输入电容:780pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI8810-TP 起订31个装
    MCC Mosfet场效应管 SI8810-TP 起订31个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:1.15nF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:145pF@10V

    导通电阻:20mΩ@10V,7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订23个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订23个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:15+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UV-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UV-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UWQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UWQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7838_R1_00001 起订250个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7838_R1_00001 起订250个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7838_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:950pC@4.5V

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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