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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT100N04K
阈值电压：2.4V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
类型：MOSFET
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06M
阈值电压：2.4V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：12.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33.4A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
类型：MOSFET
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
类型：MOSFET
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：12.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33.4A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：12.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33.4A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06M
阈值电压：2.4V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
类型：MOSFET
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：12.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33.4A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
类型：MOSFET
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
栅极电荷：13.3nC
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.4V
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
功率：33W
漏源电压：100V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3
包装方式：Reel
连续漏极电流：19.5A€19.1A
栅极电荷：13.3nC
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.4V
导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ
功率：33W
漏源电压：100V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：12.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33.4A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G050N03S
阈值电压：2.4V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
