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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4800SC
功率：2W
阈值电压：1.1V@250μA
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4800SC
功率：2W
阈值电压：1.1V@250μA
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3400MC
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250μA
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP236N2001TR-G
功率：400mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
