采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：53W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：16.5nC@5V
输入电容：1.667nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2个N沟道
反向传输电容：91pF@25V
导通电阻：14mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：360mW
阈值电压：1.7V@1mA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：360mW
阈值电压：1.7V@1mA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：53W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：16.5nC@5V
输入电容：1.667nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2个N沟道
反向传输电容：91pF@25V
导通电阻：14mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：360mW
阈值电压：1.7V@1mA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：150℃
阈值电压：1.7V@1mA
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：34V
导通电阻：240mΩ@1A，10V
输入电容：119pF@10V
栅极电荷：3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
输入电容：120pF@10V
漏源电压：38V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：1.7V@1mA
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
导通电阻：150mΩ@2A，10V
功率：1W
栅极电荷：3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
