采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB015N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8129，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8129，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8129，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04LGATMA1
栅极电荷：346nC@10V
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2V@200µA
漏源电压：40V
功率：250W
输入电容：29000pF@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：180A
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB015N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8132，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB015N04LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：346nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8132，LQ(S
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2V@200µA
工作温度：150℃
漏源电压：40V
输入电容：1580pF@10V
类型：P沟道
功率：1W
连续漏极电流：7A
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
