采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011N TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：342，"21+"：134821}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：827，"05+"：23006，"07+"：536，"08+"：170，"11+"：151，"MI+"：239}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6630A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2103
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7205TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7205TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2205
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
