采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
