采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
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功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
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功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
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功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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