销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
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输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
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输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
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连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
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连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
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栅极电荷:29nC@4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
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连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
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输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
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连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
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漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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