品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@12A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@12A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@12A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLIZ34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@12A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
功率:3.13W€140W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
输入电容:1600pF@25V
导通电阻:50mΩ@18A,5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:88W
包装方式:管件
栅极电荷:35nC@5V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRLIZ34GPBF
连续漏极电流:20A
输入电容:1600pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:50mΩ@12A,5V
包装方式:管件
栅极电荷:35nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: