采购热线 400-661-9010
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2713pF@30V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
