品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LNS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V
连续漏极电流:9A€6.8A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD014PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD024PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD024PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":460870,"09+":1480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD014PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD014PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: