品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF-BE3
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€20A
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.3W€41W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":17400,"17+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
功率:94W
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:8.2A
输入电容:540pF@50V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9520SPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
功率:3.7W€60W
连续漏极电流:6.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9520PBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:6.8A
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:2.5W€42W
包装方式:管件
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIBC20GPBF
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4464DY-T1-E3
栅极电荷:18nC@10V
导通电阻:240mΩ@2.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:2.5W€42W
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF-BE3
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:2.5W€42W
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):IRFDC20PBF
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:320mA
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:4.4Ω@190mA,10V
漏源电压:600V
功率:1W
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7820DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9520PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@40V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@40V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU9120PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: