品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
功率:65.2W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:560pF@50V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
连续漏极电流:7A€16A
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€73W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:923pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
连续漏极电流:7A€16A
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€73W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:923pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":5040}
规格型号(MPN):IRFU220BTU-AM002
输入电容:390pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
类型:N沟道
连续漏极电流:4.6A
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:1130pF@75V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
漏源电压:250V
输入电容:350pF@125V
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:5.1W€65.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
功率:65.2W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:560pF@50V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
漏源电压:250V
输入电容:350pF@125V
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:5.1W€65.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@50V
连续漏极电流:7A€16A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ12N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@50V
连续漏极电流:7A€16A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD123PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: