采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：26948，"9999"：1328}
规格型号(MPN)：AUIRF3205Z
栅极电荷：110nC@10V
功率：170W
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
输入电容：3450pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB3632
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9mΩ@80A，10V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
连续漏极电流：12A€80A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2405TRLPBF
功率：110W
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：56A
类型：N-Channel
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：16mΩ@34A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：2430pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2407TRPBF
功率：110W
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2400pF@25V
导通电阻：26mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
连续漏极电流：240A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：26948，"9999"：1328}
规格型号(MPN)：AUIRF3205Z
栅极电荷：110nC@10V
功率：170W
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
输入电容：3450pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
栅极电荷：110nC@10V
功率：214W
连续漏极电流：70A
输入电容：3300pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP47P06
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3600pF@25V
功率：160W
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF3205ZSTRLPBF
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：170W
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
输入电容：3450pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：21000，"21+"：495000，"22+"：66000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR2407TRL
功率：110W
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2400pF@25V
导通电阻：26mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB3632
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9mΩ@80A，10V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
连续漏极电流：12A€80A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：1416}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9540NLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70042E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：带
输入电容：6490pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3205Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：110A
导通电阻：6.5mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2405TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@34A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2000，"22+"：10673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@66A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
