品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9220TRLPBF
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
类型:P沟道
输入电容:340pF@25V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU210PBF
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS98DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@7.5V
类型:N沟道
输入电容:608pF@100V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:105mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:1800pF@25V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9610PBF-BE3
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.8A
功率:20W
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3Ω@900mA,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR690DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:37nC@7.5V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:34.4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9630GPBF
输入电容:700pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.6A,10V
功率:35W
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9220TRPBF-BE3
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
输入电容:340pF@25V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB260NPBF
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:220nC@10V
导通电阻:40mΩ@34A,10V
功率:380W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:4220pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP240PBF
连续漏极电流:20A
栅极电荷:70nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@12A,10V
类型:N沟道
功率:150W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS98DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@7.5V
类型:N沟道
输入电容:608pF@100V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:105mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9610PBF-BE3
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.8A
功率:20W
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3Ω@900mA,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":5040}
规格型号(MPN):IRFU220BTU-AM002
输入电容:390pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
类型:N沟道
连续漏极电流:4.6A
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172DP-T1-GE3
导通电阻:70mΩ@5.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:5.4W€96W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2250pF@100V
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
输入电容:666pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9640PBF
栅极电荷:44nC@10V
导通电阻:500mΩ@6.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
功率:125W
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1200pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9620PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.5A
漏源电压:200V
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
输入电容:170pF@25V
导通电阻:3Ω@240mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:200V
栅极电荷:8.9nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
输入电容:666pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
输入电容:1380pF@100V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:35.4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SUP90142E-GE3
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
输入电容:31200pF@100V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:15.2mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:375W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: