采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：323}
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
栅极电荷：111nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：210A
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：3.5W€300W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF540NSTRLPBF
包装方式：卷带（TR）
功率：130W
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：44mΩ@16A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1960pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.15A
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：730mW
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120TRLPBF-BE3
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：390pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：860}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：489psc
规格型号(MPN)：FQPF19N10
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3410TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：39mΩ@18A，10V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
输入电容：1690pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
功率：3W€110W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
输入电容：1800pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
输入电容：180pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：4V@250µA
功率：2W€3.1W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FQTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：1.8nC@5V
功率：625mW
ECCN：EAR99
连续漏极电流：600mA
漏源电压：100V
输入电容：141pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：50nC@10V
导通电阻：125mΩ@11A，10V
连续漏极电流：22A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1500pF@25V
类型：P沟道
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：424pF@50V
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
漏源电压：100V
功率：2W
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：41268}
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：10A€50A
输入电容：1300pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：15mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SUP70030E-GE3
导通电阻：3.18mΩ@30A，10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
输入电容：10870pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB3632
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9mΩ@80A，10V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
连续漏极电流：12A€80A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
输入电容：210pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC10A07T8TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A€800mA
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：138pF@60V€141pF@50V
漏源电压：100V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF8010PBF
导通电阻：15mΩ@45A，10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
输入电容：3830pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：260W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：230nC@10V
功率：3.1W€170W
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
导通电阻：60mΩ@38A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
栅极电荷：65nC@10V
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
类型：N沟道
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：4500pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：15000}
规格型号(MPN)：IRFR3710ZTRLPBF
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
导通电阻：18mΩ@33A，10V
类型：N沟道
功率：140W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：2930pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRLPBF
包装方式：卷带（TR）
功率：48W
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
输入电容：180pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：4V@250µA
功率：2W€3.1W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
连续漏极电流：6.6A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：7A€20A
输入电容：965pF@50V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.3W€41W
导通电阻：24mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A18KTC
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
功率：2.17W
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：26.9nC@10V
输入电容：1055pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
功率：188W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：76A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@76A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4500pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
