品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N80
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
功率:429W
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:235nC@20V
导通电阻:10mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:3750pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
输入电容:4100pF@40V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:9.3A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
规格型号(MPN):FDD3510H
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道,共漏
漏源电压:80V
输入电容:800pF@40V
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.3A€2.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
功率:300W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:220A
输入电容:6320pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16.9A€58.1A
输入电容:1380pF@40V
栅极电荷:28.5nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:8mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:36A€254A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.2W€156W
栅极电荷:273nC@10V
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:20720pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":985,"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
功率:300W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:220A
输入电容:6320pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
功率:300W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:220A
输入电容:6320pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340ET80
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.5mΩ@14A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2775pF@40V
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:14A€68A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
功率:375W
输入电容:10680pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€60A
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3000pF@50V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
规格型号(MPN):FDMS004N08C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":7500}
规格型号(MPN):FDD86326
功率:3.1W€62W
导通电阻:23mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:8A€37A
输入电容:1035pF@50V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16.9A€58.1A
输入电容:1380pF@40V
栅极电荷:28.5nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:8mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
输入电容:4100pF@40V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:80V
功率:900mW
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
连续漏极电流:4.7A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: