品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH6004SCTB-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:130A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
功率:2.17W
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.9nC@10V
输入电容:1055pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.9A€100A
栅极电荷:49.1nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:3062pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:2.6W€150W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
输入电容:897pF@20V
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.4A€49.1A
栅极电荷:12.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
功率:2.7W€139W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:8306pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:130.6nC@10V
连续漏极电流:215A
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
功率:2.17W
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.9nC@10V
输入电容:1055pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
功率:2.15W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
输入电容:897pF@20V
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.4A€49.1A
栅极电荷:12.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
栅极电荷:38.1nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPS-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.9A€100A
栅极电荷:49.1nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:3062pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:2.6W€150W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: