品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:369nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7497pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65C
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65C
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:369nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7497pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:841pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:841pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65C
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":772}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1807pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1807pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: