采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
