品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3148}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
漏源电压:60V
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包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:1200pF@25V
ECCN:EAR99
功率:1.36W€62.5W
导通电阻:42mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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功率:1.36W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:1.36W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
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栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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功率:1.36W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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