品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFDC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@190mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFDC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@190mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFDC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@190mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":17400,"17+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":20625}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFDC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@190mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: