采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
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功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
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输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：STFW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
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品牌：Taiwan Semiconductor
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
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功率：63W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
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功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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