品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: