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品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：165，"22+"：30000，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
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输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：165，"22+"：30000，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：167W
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8035pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
