采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€273W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9281pF@25V
连续漏极电流：51A€430A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1532，"22+"：1796，"23+"：3287，"MI+"：1938}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0065N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7360pF@25V
连续漏极电流：162A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0065N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2804STRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@160A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：200，"19+"：575，"22+"：41995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S203ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N4F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2804STRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@160A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0065N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7739L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11880pF@25V
连续漏极电流：46A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@160A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：29A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S204ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4005SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3062pF@20V
连续漏极电流：20.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：170，"21+"：1600，"23+"：553，"24+"：2250}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2804STRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6930pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@160A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
