采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3107TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@160A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2907ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2407TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS3107TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9370pF@50V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@140A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB140NF75T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：218nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@70A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB160N75F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6750pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@60A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1173，"23+"：31939，"24+"：14187，"MI+"：560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7759L2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12222pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@96A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB75NF75T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2807STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@43A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3107TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9370pF@50V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@140A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7，"19+"：390，"21+"：237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3107TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9370pF@50V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@140A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
