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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：700pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
