销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€77W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€77W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N055YUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€97W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@18A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:35A
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N055YUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€97W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@18A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€77W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: