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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：251nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16500pF@20V
连续漏极电流：79.8A€558A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：335pF@75V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
