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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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